[发明专利]光电转换元件及太阳能电池无效
申请号: | 201280022004.9 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN103503159A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 中川直之;芝崎聪一郎;山崎六月;樱田新哉;稻叶道彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供高转换效率的光电转换元件及太阳能电池。实施方案的光电转换元件,其特征在于,具有:光吸收层,该光吸收层含Cu、选自由Al、In及Ga构成的组中的至少一种IIIb族元素、与S或Se,且具有黄铜矿型结构;以及,由Zn、与O或S构成的缓冲层;上述缓冲层的用S/(S+O)表示的摩尔比为0.7以上、1.0以下,并且结晶粒径为10nm以上、100nm以下。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 太阳能电池 | ||
【主权项】:
光电转换元件,其特征在于,具有:光吸收层,该光吸收层含Cu、选自由Al、In及Ga构成的组中的至少一种IIIb族元素、以及S或Se,且具有黄铜矿型结构;以及由Zn、与O或S构成的缓冲层;上述缓冲层的用S/(S+O)表示的摩尔比为0.7以上、1.0以下,并且结晶粒径为10nm以上、100nm以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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