[发明专利]半导体装置用Al合金膜有效
| 申请号： | 201280022035.4 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103534789A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 奥野博行;钉宫敏洋;横田嘉宏;前田刚彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;C22C21/00;C22F1/00;C22F1/04;C23C14/14;C23C14/34;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 al 合金 | ||
【主权项】：
一种半导体装置用Al合金膜，其特征在于，进行在500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm，（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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