[发明专利]化学机械抛光垫修整器有效
申请号: | 201280022237.9 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN103688343A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·史密斯;安德鲁·加尔平;克里斯托弗·沃戈 | 申请(专利权)人: | 恩特格里公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了用于CMP抛光垫的垫修整器,其包括具有第一组突起和第二组突起的基板,第一组突起具有第一平均高度,第二组突起具第二平均高度,第一平均高度不同于第二平均高度,在第一组突起中的每个突起顶部具有非平坦表面,在第二组突起中的每个突起顶部具有非平坦表面,所述第一组突起和所述第二组突起具有至少在其顶表面上的多晶金刚石层。例如,所述突起集可通过它们的高度确定,或可选择地通过它们的预定位置或它们的基准尺寸确定。示出了测量该突起高度的各种方式,包括从垫修整器的背面测量平均高度、峰谷高度或突出高度。 | ||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 修整 | ||
【主权项】:
一种化学机械抛光垫修整器,包括:基板,所述基板包括一个前表面,所述前表面具有与其整体形成的多个突起,所述多个突起在基本上垂直于所述前表面的正面方向上延伸,所述多个突起的每一个包括远侧末端,所述多个突起包括:具有所述远侧末端的所述多个突起的子集,该远侧末端在对准平面的变量内,所述对准平面基本平行于所述前表面,所述多个突起的所述子集的突起以相对于彼此的固定和预定关系位于所述对准平面上;以及覆盖所述多个突起的所述子集的至少所述远侧末端的多晶金刚石涂层,其中所述基板具有至少10%的孔隙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造