[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201280022557.4 | 申请日： | 2012-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN103518263B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 糸濑将之;西村麻美;川岛浩和;砂川美佐;笠见雅司;矢野公规 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C04B35/00;C23C14/34;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，其以在下述区域1、2或3的原子比的范围内含有元素In、Ga和Zn的氧化物为活性层，并且场效应迁移率为25cm2/Vs以上。区域10.58≤In/（In+Ga+Zn）≤0.68、0.15＜Ga/（In+Ga+Zn）≤0.29；区域20.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.09≤Ga/（In+Ga+Zn）＜0.20；区域30.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.20≤Ga/（In+Ga+Zn）≤0.27。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其包含在下述区域1的原子比的范围内含有元素In、Ga和Zn的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体的电阻率小于15mΩcm、相对密度大于97％，所述氧化物烧结体仅包含由InGaO3(ZnO)表示的同系结构化合物、和由In2O3表示的方铁锰矿结构化合物，或者仅包含由InGaO3(ZnO)表示的同系结构化合物、由In2O3表示的方铁锰矿结构化合物和由In2Ga2ZnO7表示的化合物，区域10.58≤In/(In+Ga+Zn)≤0.680.15＜Ga/(In+Ga+Zn)≤0.29。
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