[发明专利]在用于中子检测设备或电离室的金属片上沉积硼的方法无效
| 申请号： | 201280022990.8 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103562748A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | B·洛特纳;S·帕缇卡 | 申请（专利权）人： | OTND公司 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00;C01B35/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明是在意图用于中子检测设备（0）的金属载体（2、3）上沉积硼固体层（1）的方法，其特征在于，其包括至少一个在金属载体（2、3）上沉积至少一个包括硼的层（1）的步骤和冷压具有该层（1）的金属载体（2、3）的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 中子 检测 设备 电离室 金属片 沉积 方法 | ||
【主权项】：
在意图用于中子检测设备（0）或电离室的金属载体（2、3）上沉积硼固体层（1）的方法，其特征在于，所述方法至少包括在所述金属载体（2、3）上沉积至少一个包括纳米颗粒形式的硼的层（1）的步骤和冷压具有所述含硼层（1）的所述金属载体（2、3）的步骤，在所述金属载体（2、3）上沉积的所述层（1）中的硼10（10B）比例在80%和100%之间。
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