[发明专利]正反馈共栅极低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201280022992.7 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN103534940B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: N·金;J·P·伯克 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F1/38;H03F1/26;H03F1/42;H03F1/56;H03F3/193;H03F1/22
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种正反馈共栅极低噪声放大器(PFCGLNA)具有属于相同导电性类型的正反馈晶体管(147,149)和输入晶体管(151,153)。使得正反馈晶体管和输入晶体管属于相同导电性类型减小了对工艺变动的敏感性。正反馈晶体管(147,149)所产生的噪声用于抵消输入晶体管(151,153)所产生的噪声。在一个实施例中,该PFCGLNA是可调谐的以对于从680MHz到980MHz的宽带频率范围中的任何频率具有基本恒定的输入阻抗,并且在整个宽带频率范围上具有小于2.2dB的噪声指数。
搜索关键词: 正反馈 栅极 低噪声放大器
【主权项】:
一种共栅极放大器,包括:输入支路,所述输入支路包括属于一导电性类型的输入晶体管;可数字编程的储能电路负载,其耦合至所述输入支路;以及属于所述导电性类型的正反馈晶体管;所述共栅极放大器具有输入阻抗,其中所述共栅极放大器接收控制所述可数字编程的储能电路负载的多位控制值,其中通过改变所述多位控制值所述输入阻抗能调谐成在宽带调谐频率范围上基本恒定,其中所述宽带调谐频率范围从频率下界延伸至频率上界,且其中所述频率上界是所述频率下界的至少一又三分之一倍。
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