[发明专利]用于在BOSCH蚀刻工艺后实现平滑的侧壁的方法有效
| 申请号： | 201280023025.2 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103534196A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克;弗兰克·Y·琳;艾伦·J·米勒;许青;徐相俊;咸进焕;尹尚俊;卡梅利娅·鲁苏 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/302;C23F1/00 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔;在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 bosch 蚀刻 工艺 实现 平滑 侧壁 方法 | ||
【主权项】：
一种在等离子体处理室中蚀刻硅的方法，所述方法包括：在第一压强和第一偏压下操作所述等离子体处理室以在所述硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔;在第二压强和第二偏压下操作所述等离子体处理室来在所述侧壁上执行保护层的沉积;在第三压强和第三偏压下操作所述等离子体处理室以执行第二垂直蚀刻来将所述孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；以及在第四压强和第四偏压下操作所述等离子体处理室来执行第三蚀刻以使所述峰缩小；其中所述第四偏压足以诱导离子轰击以使所述峰缩小。
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