[发明专利]绝缘层包覆的铝导电体、以及绝缘层和形成绝缘层的方法无效
| 申请号： | 201280023203.1 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN103534390A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 董树新;松冈秀明;浦田信也;中井英雄;高尾尚史 | 申请（专利权）人： | 株式会社丰田中央研究所 |
| 主分类号： | C25D11/04 | 分类号： | C25D11/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有非常高的比电阻和耐击穿电压的铝导电体。本发明的铝导电体包含由纯铝或铝合金制成的基材和包覆该基材的外表面的绝缘层，其中所述绝缘层由在所述基材上形成且具有25m2/g以上比表面积的阳极氧化层构成。在25m2/g以上的比表面积下，所述阳极氧化层的比电阻和耐击穿电压格外快速地升高。被这种阳极氧化层覆盖的铝导电体显示高绝缘性能。此外，所述阳极氧化层具有优异的耐热性。因此，本发明的铝导电体即使在高温环境等中也显示优异的绝缘性能。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 层包覆 导电 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘层包覆的铝导电体，包含由纯铝或铝合金制成的基材和包覆该基材的外表面的绝缘层，其中所述绝缘层由在所述基材上形成且具有25m2/g以上比表面积的阳极氧化层构成。
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