[发明专利]电阻性随机存取存储元件的离子植入改质无效
| 申请号： | 201280023609.X | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN103534829A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 彼得·F·库鲁尼西;约翰·哈塔拉 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种改良的电阻式存储元件的制造方法。电阻式内存包括底电极、顶电极、以及插入于底电极与顶电极之间的电阻材料层。界面形成在电阻材料层与顶电极之间以及电阻材料层与底电极之间。将离子植入元件，以改变所述界面中一者或两者的特性，从而改善存储元件的效能。这些离子可在上述三层制作后植入、在上述三层制作期间植入或在前述两个时间点植入。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取 存储 元件 离子 植入 | ||
【主权项】：
一种存储元件的制造方法，包括：形成底电极；在所述底电极上形成电阻材料层，第一界面介于所述底电极与所述电阻材料层之间；在所述电阻材料层上形成顶电极，第二界面介于所述电阻材料层与所述顶电极之间；以及以足以使离子植入至所述第一界面处或所述第二界面处的能量将所述离子植入所述顶电极。
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