[发明专利]多面体低聚倍半硅氧烷-有机/聚合二元体和其在有机光伏打电池中的应用无效
| 申请号： | 201280023707.3 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103534813A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | S·Z·D·程;张文彬;巩雄 | 申请（专利权）人： | 阿克伦大学 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李婉婉;张苗 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于光伏打电池的本体异质结包括多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）官能化电子受体或电子供体或两者。所述电子供体可以选自共轭聚合物及所述电子受体可以选自富勒烯和富勒烯衍生物。 | ||
| 搜索关键词： | 多面体 低聚倍半硅氧烷 有机 聚合 二元 光伏打 电池 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种本体异质结光伏打电池，其具有本体异质结，所述本体异质结是电子供体与电子受体的混合物，改良包括：用多面体低聚倍半硅氧烷（POSS）官能化所述电子供体或所述电子受体或两者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
