[发明专利]图案构造体的制造方法无效
| 申请号： | 201280023990.X | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103548115A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 宫川隆;村上哲也;冈本公康 | 申请（专利权）人： | 住友商事株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/205;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种图案构造体的制造方法，该图案构造体的制造方法包括：在基材（10）上利用喷墨法形成剥离材料（12）的工序；在基材及剥离材料上利用原子层沉积法形成功能膜（14）的工序；以及利用剥离法除去剥离材料而在基材上由功能膜形成图案的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 构造 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图案构造体的制造方法，包含：在基材上利用喷墨法形成剥离材料的工序；在所述基材及所述剥离材料上利用原子层沉积法形成功能膜的工序；以及通过利用剥离法除去所述剥离材料，在所述基材上由所述功能膜形成图案的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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