[发明专利]分解减少的具有铟INGaP势垒层和INGaAs(P)量子阱的激光器有效
| 申请号： | 201280024005.7 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103548220A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·H·约翰逊;杰罗姆·K·韦德 | 申请（专利权）人： | 菲尼萨公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制备VCSEL的方法，可以使用MBE进行：在第一镜区上生长第一导电区；在第一导电区上与第一镜区相对地生长有源区，所述有源区的生长包括：(a)生长具有In1-xGaxP(As)的量子阱势垒；(b)生长具有GaP、GaAsP或GaAs中的一种或多种的过渡层；(c)生长具有In1-zGazAsyP1-y的量子阱层；(d)生长另一具有GaP、GaAsP或GaAs中的一种或多种的过渡层；(e)重复工艺(a)至(d)，多次循环；(f)生长具有In1-xGaxP(As)的量子阱势垒；在有源区上与第一导电区相对地生长第二导电区，其中：x的范围从0.77至0.50；y的范围从0.7到1；和z的范围从0.7到0.99。 | ||
| 搜索关键词： | 分解 减少 具有 ingap 势垒层 ingaas 量子 激光器 | ||
【主权项】：
一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，包括：一个或多个具有InGaAs(P)的量子阱；两个或更多个结合所述一个或多个量子阱层的、具有InGaP(As)的量子阱势垒；和一个或多个具有GaP、GaAsP或GaAs中一种或多种的过渡单层，所述过渡单层沉积在各量子阱层和量子阱势垒之间。
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