[发明专利]具有嵌入的栅电极的自对准碳电子装置

摘要

一种器件及器件制造方法包括在电介质衬底中形成（202）掩埋栅电极以及对在所述掩埋栅电极之上的包括高介电常数层、基于碳的半导电层和保护层的叠层进行构图（212）。对形成在所述叠层之上的隔离电介质层进行开口（216）以在与所述叠层相邻的区域中界定凹部。蚀刻所述凹部（218）以形成腔并且去除所述高介电常数层的一部分以在所述掩埋栅电极的相反侧暴露所述基于碳的半导电层。在所述腔中沉积导电材料（224）以形成自对准的源极区和漏极区。

主权项

一种器件制造方法，包括：在电介质衬底中形成掩埋栅电极；对在所述掩埋栅电极之上的包括高介电常数层、基于碳的层和保护层的叠层进行构图；对形成在所述叠层之上的隔离电介质层进行开口以在与所述叠层相邻的区域中界定凹部；蚀刻所述凹部以形成腔并且去除所述高介电常数层的一部分，以在所述掩埋栅电极的相反侧暴露所述基于碳的层；以及在所述腔中沉积导电材料以形成自对准的源极区和漏极区。