[发明专利]SiC半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280024155.8 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103548119B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 今井文一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在SiC衬底(1)上形成包钛和镍的层。通过加热形成含碳化钛的硅化镍层(4)。通过逆溅射来去除所析出的碳层(5)。由此，抑制在后续步骤中形成于硅化镍上的金属层的电极(8)发生剥离。当碳层(5)去除前的硅化镍表面上析出的碳量与碳化钛的碳量之间的关系满足预定条件时，能够进一步提高防止剥离的效果。 | ||
| 搜索关键词： | sic 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC半导体器件的制造方法，在SiC半导体中形成电极结构，其特征在于，包括：在所述SiC半导体上形成含镍和钛的层之后，通过加热来生成含有碳化钛的硅化镍层；通过逆溅射来去除在所述硅化镍层的表面上生成的碳层；通过在含有碳化钛的所述硅化镍层上依次层叠钛层、镍层和金层从而形成金属层，在含有碳化钛的所述硅化镍层的表面上生成的碳层配置成使得最表面的碳化钛中包含的碳原子数量相对于最表面的碳原子总数的比例不小于12％且不大于30％，其中最表面的碳原子总数包括在表面析出的碳层的碳原子数量、最表面的碳化钛中包含的碳原子数量、以及最表面的硅化镍层中残留的未反应的碳原子数量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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