[发明专利]半导体芯片的制造方法

摘要

本发明提供一种芯片收获率、碎屑的减少及操作性优越的半导体芯片的制造方法。通过从表面(5a)照射等离子体进行蚀刻来除去分割区域(6)的绝缘膜(3)。然后，在粘贴BG胶带(25)前通过等离子体处理除去形成于表面(5a)上的抗蚀剂掩模(7)的粗糙。对背面(5b)进行研削而对半导体晶片(5)进行了薄厚处理后，剥离BG胶带(25)。通过从表面(5a)照射等离子体进行蚀刻而将半导体晶片(5)分割成各个半导体芯片(1)。

主权项

一种半导体芯片的制造方法，将具备形成有多个半导体元件部的第1面及与该第1面相反一侧的第2面的半导体晶片，按每个所述半导体元件部进行分割，来制造半导体芯片，其中多个所述半导体元件部在绝缘膜上是由分割区域划分开的，其中，该制造方法包括：在所述第1面上形成覆盖所述半导体元件部但使所述分割区域露出的掩模的工序；通过自所述第1面照射等离子体来除去从所述掩模露出的所述分割区域的所述绝缘膜的第1等离子体切割工序；在所述第1等离子体切割工序后将保护胶带粘贴到所述第1面上的工序；在粘贴了所述保护胶带之后，对所述第2面进行研削，对所述半导体晶片进行薄厚处理的工序；在所述研削之后在所述第2面上粘贴带框架的保持胶带的工序；在粘贴了所述保持胶带后，从所述第1面剥离并除去所述保护胶带的工序；在剥离了所述保护胶带后，通过从所述第1面照射等离子体而除去所述半导体晶片中从所述掩模露出的所述分割区域的部分，按每个所述半导体元件部将所述半导体晶片分割成多个半导体芯片的第2等离子体切割工序；以及在所述第2等离子体切割工序后除去所述掩模的工序。