[发明专利]半导体薄膜结构以及其形成方法

摘要

揭露一种形成半导体薄膜结构的方法以及使用所述方法所形成的半导体薄膜结构。为了避免基底与半导体氮化物之间晶格常数以及热膨胀系数不同造成的应力，以及所造成的基底的翘曲，所述方法包括在基底上方形成牺牲层，接着经由各种方法使其图案化。在牺牲层上方形成无机薄膜，接着选择性移除牺牲层，以形成由基底与基底上的无机薄膜所定义的空腔。

主权项

一种半导体薄膜结构，其特征在于其包括：蓝宝石基底；Al2O3的无机薄膜，形成在所述蓝宝石基底上，用以直接在所述蓝宝石基底与所述无机薄膜上定义多个空腔，以使各自分离的所述空腔具有受控的形状、大小以及二维配置，其中所述无机薄膜为连续；以及氮化物半导体薄膜，形成在所述蓝宝石基底上方，其中借由调整所述空腔的形状、大小以及二维配置中至少一者，以调整施加于所述氮化物半导体薄膜的应力、所述氮化物半导体薄膜的光萃取量以及发光图案中至少一者，且其中所述无机薄膜的多个部分与所述蓝宝石基底直接接触，且与所述蓝宝石基底直接接触的所述无机薄膜的所述多个部分沿着所述蓝宝石基底的结晶方向结晶化。