[发明专利]最优化环形穿透基板通路

摘要

本公开提供热机械可靠铜穿透基板通路（TSV）以及在BEOL工艺过程中形成此TSV的技术。TSV构成一环型沟槽，其延伸通过半导体基板。基板定义沟槽的内及外侧壁，其中侧壁由在5至10微米的范围内的一距离所分隔。包含铜或铜合金的传导路径于沟槽内从第一介电层的上表面延伸通过基板。基板厚度可为60微米或更少。具有传导地连接至传导路径的互连金属化的介电层直接地形成于环型沟槽之上。

主权项

一种集成电路结构，包括：基板，具有形成于该基板的顶表面中的至少一半导体器件，且第一介电层设置于该顶表面之上；环型沟槽，通过该第一介电层且延伸通过该基板，其中该基板构成该沟槽的内侧壁及外侧壁，该内侧壁及该外侧壁由在5至10微米的范围内的一距离所分隔；该沟槽内的传导路径，从该第一介电层的上表面延伸通过该基板，该路径包括铜或铜合金；以及第二介电层，包含互连金属化，该互连金属化传导地连接至该传导路径，该第二介电层直接地形成于该第一介电层上且上覆于该环型沟槽。