[发明专利]改善的III族氮化物半导体生长的方法

摘要

本发明公开以先进缓冲层技术生长III族氮化物半导体化合物的方法。在实施例中，本发明的方法包括于氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供合适的衬底。所述方法包括通过下列步骤形成AlN缓冲层：将氨气流入处理腔室的生长区内，将含卤化铝前驱物流至所述生长区，并同时将额外的卤化氢或卤素气体流入处理腔室的生长区内。流入生长区内的额外卤化氢或卤素气体在缓冲层沉积期间抑制均质AlN颗粒形成。在终止含卤化铝前驱物的流动的同时，可持续使卤化氢或卤素气体流入达一时间段。

主权项

一种方法，包含下列步骤：在氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供衬底；通过下列步骤形成氮化铝(AlN)缓冲层：将氨气、含卤化铝前驱物及额外的卤化氢气体分别流入所述处理腔室内，以抑制AlN颗粒的均质形成，其中通过将铝金属源暴露至卤化氢气体来形成所述含卤化铝前驱物；以及在所述缓冲层上形成III族氮化物层，其中在将所述含卤化铝前驱物流入所述处理腔室内之前将所述额外的卤化氢气体直接流入所述处理腔室内达1分钟，以抑制AlN颗粒的均质形成。