[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201280024658.5 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103548086A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 上田孝典;河野和幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 存储单元阵列(40)包括与多个存储单元(MC)内的单元晶体管(CT)的栅极相连接的多条字线(WL)、多条第一控制线(BL)、多条第二控制线(SL)以及根据第一信号将第一控制线(BL)全部一起接地的第一接地电路(42)。第一接地电路(42)包括多个分别对应于第一控制线(BL)而设且汲极与该第一控制线(BL)相连接的第一晶体管(BT)、将其源极共同接地的第一接地布线(GD1)以及将第一信号供给该栅极的第一信号布线(BC)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其具有存储单元阵列，该存储单元阵列由多个分别连接在第一控制线和第二控制线之间且分别包括存储元件和单元晶体管的存储单元布置成矩阵状而成，其特征在于：所述存储单元阵列包括多条字线、多条所述第一控制线、多条所述第二控制线以及至少一个第一接地电路，该多条字线分别对应于该存储单元阵列的各行且沿着行方向延伸，该多条字线分别与布置在该行上的多个所述存储单元所包括的单元晶体管的栅极相连接，该第一接地电路根据所给予的第一信号将所述多条第一控制线全部一起接地，所述第一接地电路包括：多个第一晶体管、第一接地布线以及第一信号布线，该多个第一晶体管对应于所述多条第一控制线中的每条第一控制线而设，汲极与该第一控制线相连接，该第一接地布线将所述多个第一晶体管的源极共同接地，第一信号布线与所述多个第一晶体管中每个第一晶体管的栅极相连接，将所述第一信号供给该栅极。
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