[发明专利]半胺缩醛化合物的制造方法及氰基胺化合物的制造方法无效

专利信息
申请号: 201280024711.1 申请日: 2012-05-25
公开(公告)号: CN103562181A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 岛崎泰治;王维奇 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: C07D209/52 分类号: C07D209/52;C07D207/16;C07D211/60;C07D223/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王彦慧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 通过包括下述工序A的半胺缩醛化合物(1)的制造方法、以及包括下述工序A及工序B的氰基胺化合物(4)的制造方法,能够以优异的收率制造半胺缩醛化合物(1)及氰基胺化合物(4)。〔工序A〕为在碱的存在下,使酰胺化合物(2)与(Ms+)l/sH4-mAl-(OR5)m所示的还原剂进行反应的工序。〔工序B〕为使半胺缩醛化合物(1)与氰化剂进行反应的工序。
搜索关键词: 半胺缩醛 化合物 制造 方法 氰基胺
【主权项】:
1.一种式(1)所示的半胺缩醛化合物或其盐的制造方法,包括下述工序A,所述工序A是在碱的存在下,使式(2)所示的酰胺化合物与式(3)所示的还原剂进行反应的工序,式中,环W表示可以具有取代基的杂环;R1及R2各自独立地表示氢原子、可以具有取代基的脂肪族烃基、可以具有取代基的脂环式烃基或可以具有取代基的芳香族烃基;R3及R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、可以具有取代基的脂肪族烃基、可以具有取代基的脂环式烃基、可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的杂环基、可以具有取代基的氨基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳氧基、可以具有取代基的烷硫基或可以具有取代基的芳硫基,式中,R1~R4各自表示与上述相同的意思,式(3):(Ms+)l/sH4-mAl-(OR5)m式中,R5表示可以具有取代基的烷基;Ms+表示金属离子;s表示金属离子的价数;m表示1、2或3。
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