[发明专利]高纯度铜锰合金溅射靶有效
| 申请号： | 201280024764.3 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103547701A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 长田健一;大月富男;冈部岳夫;牧野修仁;福岛笃志 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/05;C22F1/08;C22F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高纯度铜锰合金溅射靶，含有0.05～20重量%的Mn，剩余部分为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，该靶的Mn浓度的面内波动(CV值)为3%以下。这样，通过向铜中添加适当量的Mn元素并且减小溅射靶的面内波动，能够形成均匀性优良的薄膜。特别是提供可用于提高微细化、高集成化发达的半导体产品的成品率和可靠性的高纯度铜锰合金溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 合金 溅射 | ||
【主权项】：
一种高纯度铜锰合金溅射靶，含有0.05～20重量%的Mn，剩余部分为Cu和不可避免的杂质，其特征在于，该靶的Mn浓度的面内波动(CV值)为3%以下。
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