[发明专利]取向碳纳米管集合体的制造装置及制造方法无效

专利信息
申请号: 201280024785.5 申请日: 2012-05-30
公开(公告)号: CN103562131A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 广田光仁;涩谷明庆;上岛贡;畠贤治;汤村守雄 申请(专利权)人: 日本瑞翁株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张平元
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种取向碳纳米管集合体的制造装置,其具备:生长单元(3),该生长单元(3)包含使催化剂的周围环境成为原料气体环境,同时对催化剂及原料气体中的至少一者进行加热从而使取向CNT集合体生长的生长炉(3a);输送单元(6),其将取向CNT集合体制造用基板(10)从生长炉(3a)中输送到外部,并且还具备加热部(13c),该加热部(13c)从生长炉(3a)外对从生长炉(3a)输出取向CNT集合体制造用基板(10)的出口进行加热。
搜索关键词: 取向 纳米 集合体 制造 装置 方法
【主权项】:
一种取向碳纳米管集合体的制造装置,其是在用于制造取向碳纳米管集合体的基板上使取向碳纳米管集合体生长的取向碳纳米管集合体的制造装置,所述用于制造取向碳纳米管集合体的基板是在基体材料的表面负载催化剂而成的,该装置的特征在于,具备:生长单元,其包含生长炉,所述生长炉使所述催化剂的周围环境成为原料气体环境,同时对所述催化剂及所述原料气体中的至少一者进行加热,使所述取向碳纳米管集合体生长;和输送单元,其将所述基板从所述生长炉中输送到外部,并且具备加热机构,该加热机构从所述生长炉外对从所述生长炉输出所述基板的出口进行加热。
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