[发明专利]半导体开关器件及其制造方法

摘要

一种开关器件（140或240），包括：第一电介质层（102或207），具有第一顶表面（108或218）；两个导电特征（104、106或214、216），埋设在第一电介质层（102或207）中，每个导电特征（104、106或214、216）具有第二顶表面（110、112或220、222），其基本上与第一电介质层（102或207）的第一顶表面（108或218）共面；以及低扩散迁移率金属的一组离散岛（114a-c或204a-c），位于两个导电特征（104、106或214、216）之间。低扩散迁移率金属的离散岛（114a-c或204a-c）可位于第一顶表面（108）上或埋设在第一电介质层（207）中。当规定的电压施加到两个导电特征（104、106或214、216）时，开关器件（140或240）的两个导电特征（104、106或214、216）间的导电率增加。还提供一种形成该开关器件（140或240）的方法。

主权项

一种开关器件（140），包括：第一电介质层（102），具有第一顶表面（108）；两个导电特征（104、106），埋设在该第一电介质层（102）中，每个导电特征（104、106）具有第二顶表面（110、112），该第二顶表面（110、112）基本上与该第一电介质层（102）的该第一顶表面（108）共面；以及低扩散迁移率金属的一组离散岛（114a‑c），位于该第一电介质层（102）的该第一顶表面（108）上并位于该两个导电特征（104、106）之间。