[发明专利]制造具有选择性发射器的光伏电池的方法

摘要

一种制造具有选择性发射器的光伏电池的方法，包括下述步骤：在n-型或p-型硅衬底（1）上沉积包括n型掺杂剂的抗反射层（7），该沉积在能够加速n型掺杂剂原子在衬底（1）内的扩散的化合物的存在下进行；通过抗反射层（7）的至少一个区域的n掺杂剂的局部扩散来过掺杂衬底（1）的至少一个区域以形成至少一个n++过掺杂的发射器（6）；在至少一个n++过掺杂的发射器（6）上沉积至少一种n-型导电材料（3）；在衬底（1）的与包括抗反射层（7）的表面相反的表面上沉积至少一种p-型导电材料（4）；通过退火同时形成n触点（3）和p触点（4）及n+发射器（5），退火能够在衬底内扩散来自抗反射层（7）的n掺杂剂。

主权项

一种制造具有选择性发射器的光伏电池的方法，包括下述步骤：‑在n‑型或p‑型硅衬底（1）上沉积包括n型掺杂剂的抗反射层（7），所述沉积在能够加速n型掺杂剂原子在所述衬底（1）内的扩散的化合物的存在下进行；‑通过所述抗反射层（7）的至少一个区域的n掺杂剂的局部扩散来过掺杂所述衬底（1）的至少一个区域，以形成至少一个n++过掺杂的发射器（6）；‑进行以下沉积操作：○在所述至少一个n++过掺杂的发射器（6）上沉积至少一种n‑型导电材料（3）；及○在所述衬底（1）的与包括所述抗反射层（7）的表面相反的表面上沉积至少一种p‑型导电材料（4）；‑通过退火同时形成n触点（3）和p触点（4）及n+发射器（5），所述退火能够在所述衬底内扩散来自所述抗反射层（7）的n掺杂剂。