[发明专利]光电转换元件无效

专利信息
申请号: 201280025263.7 申请日: 2012-05-08
公开(公告)号: CN103563094A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 后藤正直;林慎也;中山庆祐 申请(专利权)人: 吉坤日矿日石能源株式会社
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/068
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 光电转换元件(10)包括光电转换层(20)、防反射膜(32)、光散射层(36)、和透明薄膜层(50)。防反射膜(32)设于光电转换层(20)的受光面侧。光散射层(36)由被二维配置在与光电转换层(20)的受光面相反侧的多个金属纳米粒子构成。在光电转换层(20)和光散射层(36)之间设有透明薄膜层(50)。透明薄膜层(50)的层厚dlow以下式表示。在下式中,λ0是光电转换层(20)能够吸收的光在真空中的波长的任意值。nabs表示光电转换层(20)在上述波长时的折射率,nlow表示透明薄膜层(50)在上述波长时的折射率。[数学式1]
搜索关键词: 光电 转换 元件
【主权项】:
一种光电转换元件,其特征在于,包括:光电转换层,在所述光电转换层的一个主表面层叠的、折射率与所述光电转换层不同的透明薄膜层,以及在与所述光电转换层相反侧的所述透明薄膜层的主表面上层叠的光散射层;其中,所述透明薄膜层的层厚dlow由下式表示, 0 < d low < λ 0 ( n low n abs ) 2 1 n abs 2 - n low 2 在上式中,λ0是光电转换层能够吸收的光在真空中的波长的任意值,nabs表示光电转换层在上述波长时的折射率,nlow表示透明薄膜层在上述波长时的折射率。
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