[发明专利]用于MEMS显示装置的锁存电路有效

专利信息
申请号: 201280025686.9 申请日: 2012-05-31
公开(公告)号: CN103765497A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 宫泽敏夫;宫本光秀 申请(专利权)人: 皮克斯特隆尼斯有限公司
主分类号: G09G3/34 分类号: G09G3/34
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 所描述的锁存电路可使用单一导电类型的晶体管形成。所述晶体管可为n型晶体管或p型晶体管。所述锁存电路包含至少一个预充电晶体管及至少一个输出端子放电晶体管。还描述用于操作所述锁存电路的时序方案。还描述包含这些锁存电路的像素电路及显示装置。所述显示装置由所述锁存电路的布置形成。
搜索关键词: 用于 mems 显示装置 电路
【主权项】:
一种设备,其包括:多个MEMS装置,其布置在阵列中;及控制矩阵,其包括耦合到所述多个MEMS装置以将数据传递到所述MEMS装置及将电压驱动到所述MEMS装置的仅n型或仅p型晶体管,其中针对每一MEMS装置,所述控制矩阵包括:锁存器,其经配置以维持第一输出端子与第二输出端子上的电压电平的差,所述锁存器包括:耦合到所述第一输出端子的第一预充电晶体管及第一输出端子放电晶体管;耦合到所述第二输出端子的第二预充电晶体管及第二输出端子放电晶体管;及像素放电晶体管,其耦合到所述第一输出端子放电晶体管及所述第二输出端子放电晶体管;其中所述锁存器经配置成使得基于所述第二输出端子的施加到所述第一输出端子放电晶体管的栅极的电压电平而控制所述第一输出端子放电晶体管的状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皮克斯特隆尼斯有限公司,未经皮克斯特隆尼斯有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280025686.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top