[发明专利]使用MOSFET功率晶体管的开关单元无效

专利信息
申请号: 201280025931.6 申请日: 2012-03-14
公开(公告)号: CN103597745A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 安东尼诺·弗雷塔;保罗·古格利米;埃里克·贾科莫·阿尔曼多 申请(专利权)人: ET99有限公司
主分类号: H03K17/0414 分类号: H03K17/0414;H03K17/0416;H03K17/74;H02M1/34;H03K17/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 意大利*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要: 一种开关单元(1),包括:受控功率开关(T)和包括二极管或结的电流再循环器件(CRD)连接在供给直流电压(VC)的电源(2)的端子之间,在受控功率开关(T)和再循环器件(CRD)之间限定单元(1)的公共端子(O)。跨电流再循环器件(CRD)存在着连接的受控电荷供应装置(TL,VL,DL;TH,VH,DH),包括:用于产生低电压的第一发生器电路(TL,VL,DL),包括第一直流电压源(VL),相关的第一受控开关(TL),和第一二极管(DL),第一发生器电路(TL,VL,DL)适于供应足以导致电流再循环器件(CRD)的反向恢复的电荷;用于产生高电压的第二发生器电路(TH,VH,DH),包括第二直流电压源(VH),相关的第二受控开关(TH)和第二二极管(DH),第二发生器电路(TH,VH,DH)适于向再循环器件(CRD)注入作为高电压的函数以非线性方式改变的电荷量(QD),而且,第二发生器电路(TH,VH,DH)还适于传送当闭合第一受控开关(TL)时足以导致第一二极管(DL)截止的电荷量。
搜索关键词: 使用 mosfet 功率 晶体管 开关 单元
【主权项】:
一种受控开关单元(1),其中,受控功率开关(T)和包括二极管或结的电流再循环器件(CRD)连接在供给直流电压(VC)的电源(2)的端子之间,在所述受控功率开关(T)和所述再循环器件(CRD)之间限定所述单元(1)的公共端子(O);使得跨所述电流再循环器件(CRD)存在着连接的受控电荷供应装置(TL,VL,DL;TH,VH,DH)的所述单元(1)包括:‑用于产生低电压的第一发生器电路(TL,VL,DL),包括第一直流电压源(VL),相关的第一受控开关(TL),和第一二极管(DL),所述第一发生器电路(TL,VL,DL)适于供应足以导致所述电流再循环器件(CRD)的反向恢复的电荷;所述单元的特征在于,所述受控电荷供应装置进一步包括:‑用于产生高电压的第二发生器电路(TH,VH,DH),包括第二直流电压源(VH),相关的第二受控开关(TH)和第二二极管(DH),所述第二发生器电路(TH,VH,DH)适于向所述再循环器件(CRD)注入作为所述高电压的函数以非线性方式改变的电荷量(QD),而且,所述第二发生器电路(TH,VH,DH)还适于传送当闭合所述第一受控开关(TL)时足以导致所述第一二极管(DL)截止的电荷量。
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