[发明专利]半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法

摘要

提供一种半导体器件，在Ge基板上形成的P沟道型MISFET的第一源极及第一漏极由以下化合物构成：Ge原子与镍原子的化合物；Ge原子与钴原子的化合物；或Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成，在由III-V族化合物半导体构成的半导体晶体层上形成的N沟道型MISFET的第二源极及第二漏极由以下化合物构成：III族原子及V族原子、与镍原子的化合物；III族原子及V族原子、与钴原子的化合物；或III族原子及V族原子、与镍原子及钴原子的化合物构成。

主权项

一种半导体器件，包括：基底基板，由Ge晶体构成；半导体晶体层，位于所述基底基板的一部分区域的上方，由III‑V族化合物半导体构成；P沟道型MISFET，以以上方没有所述半导体晶体层的所述基底基板区域的一部分作为沟道，并具有第一源极及第一漏极；以及N沟道型MISFET，以所述半导体晶体层的一部分作为沟道，并具有第二源极及第二漏极，所述第一源极及所述第一漏极由以下化合物构成：Ge原子与镍原子的化合物；Ge原子与钴原子的化合物；或者Ge原子、与镍原子和钴原子的化合物构成，所述第二源极及所述第二漏极由以下化合物构成：III族原子及V族原子、与镍原子的化合物；III族原子及V族原子、与钴原子的化合物；或者III族原子及V族原子、与镍原子和钴原子的化合物构成。