[发明专利]具有局部化底栅和栅极电介质的石墨烯或碳纳米管器件有效
| 申请号： | 201280026658.9 | 申请日： | 2012-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103858344A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈志宏;A·D·富兰克林;汉述仁;J·B·汉拿恩;K·L·萨恩格;G·S·土利维斯盖 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H03H11/46 | 分类号： | H03H11/46;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了具有基于纳米级材料的沟道（例如，碳纳米管或石墨烯沟道）的晶体管器件以及用于制造该器件的技术。在一个方面，提供了一种晶体管器件。该晶体管器件包括基底；基底上的绝缘体；嵌入绝缘体的局部底栅，其中该栅极的顶表面与绝缘体的表面基本共面；底栅上的局部栅极电介质；位于局部栅极电介质的至少一部分之上的碳基纳米结构材料，其中该碳基纳米结构材料的一部分用作所述器件的沟道；以及在所述沟道的相对两侧上与所述碳基纳米结构材料的一个或多个部分接触并用作所述器件的源区和漏区的导电源极和漏极接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 局部 化底栅 栅极 电介质 石墨 纳米 器件 | ||
【主权项】：
一种晶体管器件，包括：基底；基底上的绝缘体；嵌入所述绝缘体的局部底栅，其中所述底栅的顶表面与所述绝缘体的表面基本共面；所述底栅上的局部栅极电介质；位于所述局部栅极电介质的至少一部分之上的碳基纳米结构材料，其中所述碳基纳米结构材料的一部分用作所述器件的沟道；以及在所述沟道的相对两侧上与所述碳基纳米结构材料的一个或多个部分接触并用作所述器件的源区和漏区的导电源极和漏极接触部。
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