[发明专利]包括阶梯结构的设备及形成所述阶梯结构的方法

摘要

本发明揭示用于形成半导体结构的方法，包括一种涉及以下步骤的方法形成若干组导电材料与绝缘材料；在所述组上方形成第一掩模；形成第一数目个接触区；在所述组的第一区上方形成第二掩模；及在横向邻近所述第一区的第二经暴露区中从所述组中移除材料以形成第二数目个接触区。另一种方法包括在若干组导电材料与绝缘材料的部分上形成第一及第二接触区，所述第二接触区中的每一者比所述第一接触区中的每一者更接近于下伏衬底。本发明还揭示包括横向邻近的第一与第二区的例如存储器装置等设备以及形成此些装置的相关方法，所述横向邻近的第一与第二区各自包括多种导电材料的不同部分的接触区。

主权项

一种形成半导体结构的方法，其包含：在衬底上方形成多个组的导电材料与绝缘材料；在所述多个组中的最顶部组上方形成第一掩模；移除所述第一掩模的一部分以暴露所述多个组中的所述最顶部组的主表面的一部分；在暴露所述最顶部组的所述主表面的另一部分之前，移除所述多个组中的两个所述最顶部组的经暴露部分；移除所述第一掩模的另一部分以暴露所述最顶部组的所述主表面的另一部分，所述最顶部组的所述主表面的所述另一部分邻近于所述多个组中的所述最顶部组的所述主表面的经移除部分；重复所述移除所述第一掩模的一部分及所述移除所述多个组中的两个所述最顶部组的所述经暴露部分，直到形成第一数目个接触区为止，每一接触区从其它接触区偏移；在所述多个组的第一区上方形成第二掩模，所述多个组的所述第一区包括所述多个组中一半的组；及在所述多个组的横向邻近所述第一区的第二经暴露区中从所述多个组中的每一组同时移除材料以形成第二数目个接触区，以使得所述第一数目个接触区包括所述多个组中的第一交替组且所述第二数目个接触区包括所述多个组中的第二交替组，所述多个组的所述第二经暴露区包括所述多个组中一半的组，其中所述第一区的所述第一数目个接触区沿着垂直于所述第一数目个接触区和所述第二数目个接触区延伸方向的方向从所述第二经暴露区的所述第二数目个接触区偏移，且其中所述第二数目个接触区的最顶部第二接触区比所述第一数目个接触区中除了最顶部第一接触区之外的所有第一接触区都更远离所述衬底。