[发明专利]衬底冷冻干燥装置和方法有效
| 申请号： | 201280026928.6 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103650116B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 史蒂芬·M·施瑞德;戴安·海姆斯;艾伦·M·舍普 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于冷冻干燥衬底的装置。提供了容纳衬底的腔室。用于支撑和静电夹持该衬底的静电夹盘（ESC）位于该腔室之中。温度控制器控制该静电夹盘的温度。冷凝器与该腔室连接。真空泵与该腔室流体连接。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 冷冻 干燥 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于冷冻干燥湿衬底的装置，其包括：腔室，其用于容纳所述湿衬底；静电夹盘(ESC)，其用于在该腔室内部支撑和静电夹持该湿衬底；温度控制器，其用于控制该静电夹盘的温度；湿法运送工作台，其用于将所述湿衬底运送到该腔室中并密封该腔室；冷凝器，其连接至该腔室；真空泵，其与该腔室流体连接；以及进一步包括与该腔室连接的等离子体源，其用于向该腔室内部提供等离子体以加热该湿衬底，从而在不融化该湿衬底上的凝固的干燥化学剂的基础上升华该干燥化学剂，并且所述等离子体还与所述湿衬底上的非挥发性残留物反应以移除该非挥发性残留物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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