[发明专利]集成IR上转换器件和CMOS图像传感器的红外成像器件有效

专利信息
申请号: 201280027507.5 申请日: 2012-06-06
公开(公告)号: CN103765588A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 弗兰基·索;金渡泳;布哈本德拉·K·普拉丹 申请(专利权)人: 佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L27/14
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;彭鲲鹏
地址: 美国佛*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 成像器件包括在CMOS图像传感器(CIS)上的IR上转换器件,其中所述上转换器件包括透明的多层堆叠体。所述多层堆叠体包括位于透明阳极与透明阴极之间的IR敏化层和发光层。在本发明的一些实施方案中,所述多层堆叠体在通过机械紧固件或粘合剂或者通过层叠耦接到CIS的透明支持件上形成。在本发明的另一个实施方案中,所述CIS起支持衬底的作用用于多层堆叠体的形成。
搜索关键词: 集成 ir 转换 器件 cmos 图像传感器 红外 成像
【主权项】:
一种成像器件,其包括透明IR上转换器件和CMOS图像传感器(CIS),其中所述透明IR上转换器件是多层堆叠体,所述多层堆叠体包括:阳极层、空穴阻挡层、IR敏化层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。
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