[发明专利]集成IR上转换器件和CMOS图像传感器的红外成像器件有效
申请号: | 201280027507.5 | 申请日: | 2012-06-06 |
公开(公告)号: | CN103765588A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 弗兰基·索;金渡泳;布哈本德拉·K·普拉丹 | 申请(专利权)人: | 佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;彭鲲鹏 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 成像器件包括在CMOS图像传感器(CIS)上的IR上转换器件,其中所述上转换器件包括透明的多层堆叠体。所述多层堆叠体包括位于透明阳极与透明阴极之间的IR敏化层和发光层。在本发明的一些实施方案中,所述多层堆叠体在通过机械紧固件或粘合剂或者通过层叠耦接到CIS的透明支持件上形成。在本发明的另一个实施方案中,所述CIS起支持衬底的作用用于多层堆叠体的形成。 | ||
搜索关键词: | 集成 ir 转换 器件 cmos 图像传感器 红外 成像 | ||
【主权项】:
一种成像器件,其包括透明IR上转换器件和CMOS图像传感器(CIS),其中所述透明IR上转换器件是多层堆叠体,所述多层堆叠体包括:阳极层、空穴阻挡层、IR敏化层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的