[发明专利]基于溶液生长法的SiC单晶体的制造装置、使用该制造装置的SiC单晶体的制造方法以及用于该制造装置的坩埚

摘要

一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。

主权项

一种制造装置，其是利用溶液生长法的SiC单晶体的制造装置，该制造装置包括：籽晶轴，其具有供SiC晶种安装的下端面；以及坩埚，其用于容纳SiC溶液，上述坩埚包括：主体，其包含第1筒部和配置于上述第1筒部的下端部的底部；中盖，其配置于上述主体内的上述SiC溶液的液面的上方、且是上述第1筒部内，该中盖具有使上述籽晶轴穿过的第1通孔；以及上盖，其配置于上述中盖的上方，且具有使上述籽晶轴穿过的第2通孔。