[发明专利]光吸收层形成用涂布液及光吸收层形成用涂布液的制造方法无效
| 申请号： | 201280027751.1 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103597605A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 桑原大;三隅浩一;宫本英典 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光吸收层形成用涂布液，其是用于形成铜锌锡硫(CZTS)系太阳能电池的光吸收层的涂布液，其是使(A)肼配位Cu硫属化物络合物成分、(B)肼配位Sn硫属化物络合物成分和(C)肼配位Zn硫属化物络合物成分溶解于二甲基亚砜而成的。 | ||
| 搜索关键词： | 光吸收 形成 用涂布液 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光吸收层形成用涂布液，其是用于形成铜锌锡硫系太阳能电池的光吸收层的涂布液，该涂布液是使(A)肼配位Cu硫属化物络合物成分、(B)肼配位Sn硫属化物络合物成分和(C)肼配位Zn硫属化物络合物成分溶解于二甲基亚砜而成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
