[发明专利]具有均匀多重掺杂物的硅锭及其制造方法和装置有效
| 申请号： | 201280028191.1 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103608496B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | B·K·约翰逊;J·P·德卢卡;W·L·卢特尔 | 申请（专利权）人： | GTATIP控股有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种柴氏生长系统，包括坩埚；硅传送系统，包括具有传送点位于该坩埚上的进料机并且传送可控制的硅量至该坩埚；及至少一种掺杂机制，可控制地传送至少一种掺杂物材料至该进料机。该系统可以包括二或更多种各装载不同掺杂物材料的掺杂机制，且因此可用于制备具有多重掺杂物的硅锭。所得的锭具有沿其轴实质上固定的掺杂浓度。此外也揭露至少一种包括至少一种掺杂物材料的硅锭的柴氏生长方法，该方法较佳为连续柴氏生长法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 均匀 多重 掺杂 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种包括浓度为C及具有分凝系数为k的掺杂物材料的硅锭的柴氏生长方法，该方法包括下列步骤：i)提供具有与外进料区有流体交流的内成长区的坩埚；ii)于初始该硅锭的成长前，以硅以及该掺杂物材料预填充该内成长区以形成混合物，其中，当该混合物熔融时，具有该掺杂物材料的浓度为C/k及当该混合物熔融时，以硅以及该浓度为C的掺杂物材料预填充该外进料区；iii)熔融该混合物；iv)自该内成长区初始该硅锭的成长；v)当成长该硅锭时传送硅以及该掺杂物材料的进料至该外进料区，当该进料熔融时具有该掺杂物材料为C的平均浓度；以及vi)移除该硅锭，包括浓度为C的该掺杂物材料。
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