[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件模块在审
申请号: | 201280028394.0 | 申请日: | 2012-06-06 |
公开(公告)号: | CN103620791A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 古宫良一;福井笃;山中良亮 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金龙河;穆德骏 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种光电转换元件以及使用该光电转换元件的光电转换元件模块,其中,所述光电转换元件具有:透光性基板、在该透光性基板上形成的透明导电层、在该透明导电层上形成的光电转换层、与该光电转换层相接形成的多孔性绝缘层、与该多孔性绝缘层相接形成的反射层、在该反射层上形成的催化剂层和对电极导电层,光电转换层包含多孔性半导体、载流子输送材料和光敏剂,将多孔性绝缘层朝向透光性基板垂直投影时的投影面积和将反射层朝向透光性基板垂直投影时的投影面积,大于将光电转换层朝向透光性基板垂直投影时的投影面积。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 以及 模块 | ||
【主权项】:
一种光电转换元件,其具有:透光性基板、在所述透光性基板上形成的透明导电层、在所述透明导电层上形成的光电转换层、与所述光电转换层相接形成的多孔性绝缘层、与所述多孔性绝缘层相接形成的反射层、以及在所述反射层上形成的催化剂层和对电极导电层,所述光电转换层包含多孔性半导体、载流子输送材料和光敏剂,将所述多孔性绝缘层朝向所述透光性基板垂直投影时的投影面积和将所述反射层朝向所述透光性基板垂直投影时的投影面积,大于将所述光电转换层朝向所述透光性基板垂直投影时的投影面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280028394.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有OLED或QLED的发光元件
- 下一篇:发光纳米线的串联电连接
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的