[发明专利]聚合物-基光学可变器件有效

专利信息
申请号: 201280028832.3 申请日: 2012-04-08
公开(公告)号: CN103620508B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: A·雅利兹;G·古德伊尔 申请(专利权)人: 西格玛亚利桑那实验室有限责任公司
主分类号: G03H1/00 分类号: G03H1/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 任宗华
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 用于加密安防应用的聚合物‑基光学可变器件在该器件的面积上具有高的色彩均匀程度。通过控制以前忽略的工艺参数,例如沉积喷嘴(32),基底(10)和沉积转鼓(38)的温度分布,它们的发射率、基底的微粗糙度和单体再‑蒸发的速率,优化在这些器件内所使用的结构的厚度均匀性。通过在单体沉积的2秒以内引发辐射固化,最小化再‑蒸发。仔细地监控设备,消除发射率不均匀性的所有来源,例如在暴露于基底(10)下的表面积内的表面缺陷。优选雾度小于5%且光泽度大于90%的基底。结果,发现在光学可变器件的透射层(14)上最大厚度变化小于5%,确保没有肉眼可见的明显的色移变化。
搜索关键词: 聚合物 光学 可变 器件
【主权项】:
生产光学可变器件(OVD)的方法,该方法包括下述步骤:将光学透射聚合物层粘附至部分反射,部分吸收,和部分透射的材料的第一层;和将部分反射,部分吸收,和部分透射的材料的第二层粘附至所述光学透射聚合物层以形成多层标准具结构,其中横跨整个OVD区域,所述光学透射聚合物层是所述第一层和第二层之间的标准具间隔衬层,其中在真空下通过沉积单体层和在其沉积之后2秒内辐射固化所述单体层,且在确保(i)横跨OVD的整个表面区域其最大厚度变化不超过5%和(ii)最小化所述单体层的差别再蒸发的条件下,来形成所述光学透射聚合物层。
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