[发明专利]用于制造半导体器件的方法

摘要

一种用于制造MOSFET（100）的方法，包括步骤：在有源层（7）上形成栅氧化物膜（91），在该栅氧化物膜（91）上形成栅电极（93），形成与有源层（7）欧姆接触的源接触电极（92），以及在形成源接触电极（92）之后形成由二氧化硅制成的层间绝缘膜（94）以便覆盖栅电极（93）。形成源接触电极（92）的步骤包括形成包含铝的金属层以便接触有源层（7）以及使金属层合金化的步骤。

主权项

一种用于制造半导体器件（100）的方法，包括以下步骤：在半导体层（7）上形成栅绝缘膜（91）；在所述栅绝缘膜（91）上形成栅电极（93）；形成与所述半导体层（7）欧姆接触的欧姆接触电极（92）；以及在形成所述欧姆接触电极（92）之后，形成由二氧化硅制成的层间绝缘膜（94）以便覆盖所述栅电极（93），其中形成欧姆接触电极（92）的所述步骤包括以下步骤：形成包含铝的金属层以便与所述半导体层（7）接触；以及使所述金属层合金化。