[发明专利]非晶质氧化物薄膜的制造方法及薄膜晶体管有效
申请号: | 201280029028.7 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN103608906B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 梅田贤一;田中淳;铃木真之;下田达也 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L21/368 | 分类号: | H01L21/368;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本东京港区*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种非晶质氧化物薄膜的制造方法及薄膜晶体管,所述非晶质氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤:前处理步骤,对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜,在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化,而获得特定的第二氧化物前驱物膜;以及后处理步骤,将残存于所述第二氧化物前驱物膜中的所述有机成分去除,使所述第二氧化物前驱物膜转变为包含所述In的非晶质氧化物薄膜。 | ||
搜索关键词: | 非晶质 氧化物 薄膜 制造 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
一种非晶质氧化物薄膜的制造方法,包括以下步骤:前处理步骤,其为光处理步骤,其对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜,在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化而获得第二氧化物前驱物膜,所述第二氧化物前驱物膜当在以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中,将红外线的波数1380cm‑1以上、1520cm‑1以下的范围分割为红外线的波数1380cm‑1以上、1450cm‑1以下的范围与红外线的波数超过1450cm‑1且1520cm‑1以下的范围时,位于红外线的波数1380cm‑1以上、1450cm‑1以下的范围内的峰值在红外线的波数1350cm‑1以上、1750cm‑1以下的范围内的红外线吸收光谱中显示最大值;以及后处理步骤,其是在氧化性气体环境下进行热处理的步骤,其将残存于所述第二氧化物前驱物膜中的所述有机成分去除,使所述第二氧化物前驱物膜转变为包含所述In的非晶质氧化物薄膜,在所述前处理步骤之前还包括形成步骤,所述形成步骤使用含有金属烷氧化物或者有机酸盐的溶液,并利用液相法来形成所述第一氧化物前驱物膜,金属烷氧化物溶液是至少含有下述式I所表示的金属烷氧化物化合物的溶液,M(OR)n…式I式I中的M为In,n为1以上的整数,R为碳数为1~20的经取代或未经取代的烷基。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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