[发明专利]电子元器件的特性测量方法有效

专利信息
申请号: 201280029167.X 申请日: 2012-06-11
公开(公告)号: CN103620428A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 嶋川淳也 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/28
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供可提高测量器的稼动率的电子元器件的特性测量方法。此方法使用一个测量器测量搭载了IC的电子元器件的特性。依次进行(a)启动电子元器件使其处于可测量状态的第1处理60a、60b,(b)使用测量器测量处于可测量状态的电子元器件的特性的第2处理62a、62b,(c)基于通过第2处理62a、62b获得的测量结果写入数据到电子元器件之后,停止电子元器件的启动的第3处理64a、64b。在进行第2处理62a、62b的特性测量工序中,对之后会进行第2处理62a、62b的电子元器件进行第1处理60a、60b。
搜索关键词: 电子元器件 特性 测量方法
【主权项】:
一种电子元器件的特性测量方法,该电子元器件的特性测量方法对搭载有IC的电子元器件依次进行以下处理:第1处理,在该第1处理中,启动所述电子元器件使其处于可测量状态;第2处理,在该第2处理中,使用测量器对通过所述第1处理处于可测量状态的所述电子元器件的特性进行测量;以及第3处理,在该第3处理中,根据通过所述第2处理获得的测量结果向所述电子元器件写入数据后,停止所述电子元器件的启动,该电子元器件的特性测量方法的特征在于,在对通过所述第1处理处于可测量状态的所述电子元器件进行所述第2处理的特性测量工序中,对该特性测量工序之后进行所述第2处理的、特性测量之前的所述电子元器件进行所述第1处理。
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