[发明专利]薄膜电池的无掩模制造有效
| 申请号： | 201280029531.2 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103636025A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 宋道英;冲·蒋;秉圣·利奥·郭 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01M2/10 | 分类号： | H01M2/10;H01M10/36 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 种通过工艺制造的薄膜电池(Thin film batteries,TFB)，所述工艺去除和/或最小化遮光掩模的使用。选择性激光烧蚀(ablation)工艺被用于满足某些或所有图案化的要求，在所述激光烧蚀工艺中，激光图案化工艺除去一层或堆叠层同时完整留下下方的层。对于来自基板侧的冲模图案化，其中激光束在到达沉积层之前穿过基板，诸如非晶硅层或微晶硅层之类的冲模图案化辅助层可用于实现热应力失配引发的激光烧蚀，这样极大地降低除去材料所需的激光能量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电池 无掩模 制造 | ||
【主权项】：
一种制造薄膜电池的方法，包括：在基板上沉积第一堆叠的覆盖层，所述堆叠包括阴极集电器层、阴极层、电解质层、阳极层和阳极集电器层；激光冲模图案化所述第一堆叠以形成第二堆叠；激光图案化所述第二堆叠以形成装置堆叠，所述激光图案化暴露阴极集电器区域和邻近于所述阴极集电器区域的所述电解质层的一部分，其中所述第二堆叠的所述激光图案化包括除去所述电解质层的所述部分的一部分厚度以在所述电解质层中形成台阶；和在所述装置堆叠上沉积并且图案化封装层和粘合垫层。
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