[发明专利]用于等离子体腔室的充电格栅

摘要

本发明公开了用于操作腔室的等离子体处理器腔室和方法。示例性的腔室包括用于接收衬底的静电夹盘以及与腔室的顶部连接的电介质窗。电介质窗的内侧面向位于静电夹盘的上方的等离子体处理区域，电介质窗的外侧位于等离子体处理区域的外部。内侧和外侧线圈被设置在电介质窗的外侧，并且内侧和外侧线圈与第一RF功率源相连。充电格栅被设置在电介质窗的外侧以及内侧和外侧线圈之间。充电格栅与第二RF功率源相连，该第二功率源独立于第一RF功率源。

主权项

一种等离子体处理腔室，其包括：静电夹盘，其用于接收衬底；电介质窗，其与所述腔室的顶部相连，电介质窗的内侧面向位于所述静电夹盘上方的等离子体处理区域，所述电介质窗的外侧位于所述等离子体处理区域的外部；内侧和外侧线圈，其设置在所述电介质窗的外侧，所述内侧和外侧线圈被配置成与第一RF功率源相连；充电格栅，其设置在所述电介质窗的所述外侧与所述内侧和外侧线圈之间，所述充电格栅被配置成与第二RF功率源相连，其中所述充电格栅是具有中央开口的盘形形状，其包括围绕所述中央开口的金属材料环，并且包括多个金属辐条，其中所有的所述金属辐条都连接到所述金属材料环以从所述环延伸到所述充电格栅的外边缘，其中所述充电格栅被配置成经由金属带状部连接到独立于所述第一RF功率源的所述第二RF功率源，其中所述金属带状部在所述充电格栅的所述中央开口处与所述金属材料环相连，其中所述金属带状部在所述中央开口处与所述金属材料环相连使得来自所述第二RF功率源的RF功率分布能够经由所述金属材料环和所述金属辐条遍布所述充电格栅并到达所述充电格栅的所述外边缘之外；以及放置在所述充电格栅下方的衬底层，其中所述衬底层位于所述充电格栅和所述电介质窗之间，其中所述衬底层与所述电介质窗的所述外侧接触，其中所述衬底层为电介质并且所述充电格栅由形成在所述衬底层上的金属材料限定。