[发明专利]固体摄像装置有效
申请号: | 201280030161.4 | 申请日: | 2012-06-06 |
公开(公告)号: | CN103620783A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 坂田祐辅;森三佳;广濑裕;益田洋司;栗山仁志;宫川良平 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/768;H04N5/357;H04N5/369 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及的固体摄像装置具备:第一电极(113),被形成在半导体衬底(101)的上方;光电转换膜(114),被形成在第一电极(113)上,且对光进行光电转换,从而得到信号电荷;第二电极(115),被形成在光电转换膜(114)上;电荷积蓄区域(104),与第一电极(113)电连接,积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而得到的信号电荷;放大晶体管(108a),对被积蓄在电荷积蓄区域(104)中的信号电荷进行放大;复位栅极电极,对电荷积蓄区域(104)进行复位;以及由半导体材料构成的接触插头(107),用于将第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接,且与电荷积蓄区域(104)直接接触。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,具备呈矩阵状而被配置的多个像素,所述固体摄像装置具备:半导体衬底;第一电极,被形成在所述半导体衬底的上方的所述像素内,且与相邻的所述像素电分离;光电转换膜,被形成在所述第一电极上,且对光进行光电转换,从而得到信号电荷;第二电极,被形成在所述光电转换膜上;电荷积蓄区域,被形成在所述半导体衬底的所述像素内,且与对应的像素的所述第一电极电连接,积蓄由所述光电转换膜进行光电转换而得到的所述信号电荷;复位栅极电极,被形成在所述像素内,且对所述电荷积蓄区域进行复位;放大晶体管,被形成在所述像素内,且对被积蓄在对应的像素的所述电荷积蓄区域中的所述信号电荷进行放大;以及由半导体材料构成的接触插头,被形成在所述像素内,且与所述电荷积蓄区域直接接触,用于将对应的像素的所述第一电极与所述电荷积蓄区域电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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