[发明专利]对于带有开关的相变存储器的快速验证有效
| 申请号： | 201280030234.X | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103620688A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | D·C·考 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 高见 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 带开关的相变存储器(PCMS)通过在编程之后为验证操作利用比编程操作之后至少预定的时间长度发生的读取操作较低的划界电压，来补偿阈值电压漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 对于 带有 开关 相变 存储器 快速 验证 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：通过跨至少一个存储元件施加不超出第一划界电压的第一电压波形，来在将所述至少一个存储元件编程到预期状态之后的验证时间间隔内验证所述至少一个存储元件的状态处于所述预期状态；以及通过跨所述至少一个存储元件施加不超出第二划界电压的第二电压波形，来在对所述至少一个存储元件编程之后的预定时间间隔之后，读取所述至少一个存储元件的所述状态，其中所述第二划界电压大于所述第一划界电压，并且所述预定时间间隔至少与所述验证时间间隔一样长；其中所述至少一个存储元件具有随着时间而变化的电特性。
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