[发明专利]用于气相沉积应用的测量设备和方法

摘要

在其中有必要在特定公差内测量和/或控制蒸发源的沉积速率的气相沉积应用中，特别是OLED大规模生产中，测量系统被适配成在高和低的速率源处使用鲁棒且准确的光学厚度测量方法，以便沉积在衬底上的层的厚度能够被测量和控制。第一蒸发源(11)将材料的层沉积在衬底(20)上。移动元件(41)被提供，在所述移动元件(41)上，薄膜从第二蒸发源(12b)被沉积在沉积位置(D1)中。随后，所述移动元件被输送到测量位置(D2)，其中所述薄膜的厚度被厚度检测器(45)测量。所述测量设备被布置成依赖于沉积在所述移动元件上的所述薄膜的厚度来控制所述第一蒸发源的沉积。

主权项

 一种用于在气相沉积应用中、特别是在有机发光二极管(OLED)大规模生产中确定第一蒸发源(11)的沉积速率或通过所述第一蒸发源(11)沉积在衬底(20)上的层(20a)的厚度的测量设备(40)，所述设备包括：移动元件(41)，用于提供蒸汽的至少一个薄膜(41a)能够被沉积在其上的表面，其中所述薄膜(41a)将通过第二蒸发源(12b)在沉积位置(D1)中被沉积；厚度检测器(45)，用于检测沉积在所述移动元件(41)上的薄膜(41a)厚度，其中所述厚度检测器(45)被与所述移动元件(41)面对面布置在检测位置(D2)处，沉积在所述移动元件(41)上的薄膜的厚度将在所述检测位置（D2）中被检测；致动器装置(43)，用于输送所述移动元件(41)；其中，所述测量设备(40)被布置成将所述移动元件(41)从所述沉积位置(D1)提供到所述检测位置(D2)，以及其中，所述测量设备(40)被进一步布置成依赖于通过所述第二蒸发源(12b)沉积在所述移动元件(41)上的所述至少一个薄膜(41a)的厚度来测量和/或控制所述第一蒸发源(11)的沉积。