[发明专利]碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201280030621.3 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103608498B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 能够减小导通电阻并提高半导体装置的产率的碳化硅衬底(1)由单晶碳化硅制成，且硫原子在一个主表面(1A)中以60×1010原子/cm2以上且2000×1010原子/cm2以下的比率存在且氧原子在所述一个主表面(1A)中以3原子%以上且30原子%以下的比率存在。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 半导体 装置 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种由单晶碳化硅制成的碳化硅衬底(1)，其包含至少一个主表面(1A)的区域，硫原子在所述一个主表面(1A)中以60×1010原子/cm2以上且2000×1010原子/cm2以下存在，且氧原子在所述一个主表面(1A)中以3原子％以上且30原子％以下存在。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280030621.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
