[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201280031475.6 申请日: 2012-08-24
公开(公告)号: CN103650134A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 横山贤司;川端毅 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/12;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 具备:第一半导体芯片(101),其被保持在基板(103)之上,且具有从主体部(101A)的侧面向外方扩张的扩张部(101B);第一引线(106a),其连接第一半导体芯片(101)的扩张部(101B9和基板(103);以及第二引线(106b),其连接第一半导体芯片(101)的主体部(101A)和基板(103)。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,具备:基台;第一半导体芯片,其被保持在所述基台之上,且具有从主体部的侧面向外方扩张的扩张部;第一导电性部件,其连接所述第一半导体芯片的所述扩张部和所述基台;和第二导电性部件,其连接所述第一半导体芯片的所述主体部和所述基台。
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