[发明专利]一种用于制备半导体膜的化学浴沉积设备

摘要

本发明提供了用于在平面衬底上制备薄膜的化学浴沉积方法和设备。具体地，它们对于沉积硫化镉或硫化锌以制造薄膜太阳能电池是尤其有用的。本方法及其沉积系统将薄膜沉积于由传送带所传送的垂直行进的平面衬底上。通过连续地喷淋从新鲜混合类型到逐渐老化形式的反应溶液直至获得预期厚度，而沉积薄膜。衬底和溶液均被加热到一反应温度。在沉积过程中，衬底的前表面完全被喷淋的溶液所覆盖，但衬底背面保持干燥。在反应器内部的反应环境可与外部环境隔绝。该设备被设计以产生最少量的需经化学处理的废液。

主权项

一种用于在平面衬底表面上形成薄膜的化学浴沉积（CBD）方法，包括：处理垂直行进的平面衬底，使它们的待沉积的表面被多个喷嘴润湿而它们的背面在整个过程中通过风刀而维持干燥；在化学浴沉积反应开始前，用预热的去离子水来预清洗所述待沉积的衬底表面；通过将新鲜混合且预热的反应溶液喷淋到预清洗过的所述衬底表面上，然后将一系列的逐渐老化的反应溶液连续地喷淋到所述衬底表面上直到获得期望膜厚度，从而沉积薄膜；用清洗过的去离子水从反应过的衬底表面冲走所述溶液，用新鲜的去离子水清洗所沉积的膜，最后用红外线（IR）光束或加热的空气流将所述膜烘干，其中，所述平面衬底包括选自于玻璃、晶硅、陶瓷、塑料、高分子材料和金属中的一种或多种材料；其中，所述反应溶液和所述衬底在整个过程中被加热到介于25℃至95℃之间的提高反应温度。