[发明专利]用于检测红外辐射的带有增益的方法和设备有效
| 申请号： | 201280031610.7 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103733355B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 弗兰基·索;金渡泳;李在雄;布哈本德拉·K·普拉丹 | 申请（专利权）人： | 佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,彭鲲鹏 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了光检测器、其制造方法和使用其检测辐射的方法。光检测器可以包括第一电极、光敏化层、电子阻挡／隧穿层和第二电极。还描述了红外‑可见光上转换器件、其制造方法和使用其检测辐射的方法。红外‑可见光上转换器件可以包括光检测器和与所述光检测器连结的OLED。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 红外 辐射 带有 增益 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种带有增益的光检测器，包括：第一电极；在所述第一电极上的光敏化层；在所述光敏化层上的电子阻挡/隧穿层；以及在所述电子阻挡/隧穿层上的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
