[发明专利]具有MOSFET升压系统的电池管理系统有效
| 申请号： | 201280031686.X | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103828180B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 戴维·迪姆 | 申请（专利权）人： | 佐尔循环公司 |
| 主分类号： | H02J7/04 | 分类号： | H02J7/04;H02M3/155;H01M10/44 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,李静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于驱动n‑沟道MOSFET供电设备的栅极的升压转换器。所述升压转换器包括监测电路和快速启动电路，以在需要驱动所述MOSFET时快速地使所述升压转换器在线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mosfet 升压 系统 电池 管理 | ||
【主权项】：
一种用于驱动高侧n‑沟道MOSFET的升压系统，包括：升压转换器，构造成用于向n‑沟道MOSFET的栅极提供升压电压；第一升压转换器电源，用于向所述升压转换器提供第一电流以给所述升压转换器供电；第二升压转换器电源，用于向所述升压转换器提供第二电流，所述第二电流大于所述第一电流，所述第二升压转换器电源在选定的时间段操作以启动所述升压转换器直到所述升压转换器的输出达到选定的电压等级；用于监测所述升压转换器的输出的电压监测电路；以及布置在所述升压转换器与所述n‑沟道MOSFET的栅极之间的开关，所述开关对来自所述电压监测电路的信号起反应，以在所述电压监测电路确定所述升压转换器的输出超过选定的阈值并且稳定时向所述n‑沟道MOSFET的栅极提供电压。
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